在SiC MOSFET于新能源汽車主驅領域快速實現上量應用后，AI數據中心電源成為下一個爆發式增長市場。近日，芯聯集成（688469）發布全新碳化硅G2.0技術平臺，該平臺采用8英寸更先進制造技術，達到全球領先水平，劍指新能源汽車與AI數據中心兩大熱門領域。

碳化硅G2.0技術平臺通過對器件結構與工藝制程進行雙重優化，達成“高效率、高功率密度、高可靠”的核心目標，全面覆蓋電驅與電源兩大應用場景。

在電驅領域，芯聯集成碳化硅G2.0電驅版優勢盡顯。其憑借更低的導通損耗與優異的開關軟度，使功率密度提升20%。這一提升可顯著增強新能源汽車主驅系統的動力輸出，優化能效表現，為整車續航提升提供關鍵支撐，讓新能源汽車在動力與續航方面有更出色的表現。

電源場景中，芯聯集成碳化硅G2.0電源版同樣表現卓越。它針對性地優化寄生電容設計，并通過封裝優化強化散熱，開關損耗降低高達30%。同時，兼具強化的動態可靠性設計，實現了電源轉換效率與系統功率密度的大幅提升。這種性能提升完美適配SST、HVDC等AI數據中心電源及車載OBC電源需求，無論是在數據中心穩定供電，還是車載電源高效運作上，都能發揮重要作用。

此次芯聯集成發布的碳化硅G2.0技術平臺，以其創新性的技術優化，為新能源汽車主驅、車載電源及AI數據中心電源等廣闊市場帶來新的發展動力，有望在這兩大熱門領域掀起新的變革，推動行業向更高效率、更高功率密度、更可靠的方向發展。